Intel dezvaluie detalii asupra celei mai avansate tehnologii de productie a cipurilor

Intel Corporation a dezvaluit cateva din realizarile tehnologice de exceptie pe care compania a reusit sa le integreze in noul sau proces pe 90 de nanometri (nm), cel mai avansat proces de fabricatie

Intel Corporation a dezvaluit cateva din realizarile tehnologice de exceptie pe care compania a reusit sa le integreze in noul sau proces pe 90 de nanometri (nm), cel mai avansat proces de fabricatie a semiconductorilor de la nivelul intregii industrii. Intel a utilizat deja acest proces pentru a construi structuri de siliciu si cipuri de memorie care au depasit recordurile actuale. Intel va utiliza anul viitor acest proces tehnologic pentru productia pe scara larga utilizand wafere de 300 mm. Acest nou proces pe 90 nm combina tranzistori de mare performanta si consum redus de energie, conexiuni de cupru de mare viteza si un nou material cu o constanta dielectrica de valoare scazuta. Este pentru prima oara cand aceste tehnologii sunt integrate intr-un singur proces de fabricatie. De mai bine de 10 ani, Intel a tinut pasul cu legea lui Moore introducand o noua tehnologie la fiecare doi ani. Procesul pe 90 nm este urmatoarea generatie dupa cel de 0.13 microni, pe care il utilizeaza astazi Intel pentru producerea majoritatii procesoarelor. Noul proces pe 90 nm al Intel presupune tranzistori care masoara numai 50 nm in lungime (lungimea portii tranzistorului), care vor fi cei mai mici si performanti tranzistori CMOS in productie. Prin comparatie, cei mai avansati tranzistori produsi astazi si care pot fi gasiti de exemplu in procesoarele Pentium 4 masoara 60 nm. Tranzistorii din ce in ce mai mici si mai rapizi sunt elementele esentiale pentru constructia unor procesoare din ce in ce mai rapide. Acesti tranzistori dispun de porti de oxid cu o grosime de numai 5 straturi atomice. (1.2 nm). O poarta de oxid subtire mareste viteza tranzistorului. Interconexiuni de cupru cu o constanta dielectrica mica: Procesul integreaza de asemenea un nou material dielectric cu oxid dopat cu carbon care mareste viteza semnalului in interiorul cipului si reduce consumul de curent al acestuia. Acest material dielectric este dispus in doua straturi, unul peste altul, si este usor de realizat. In februarie Intel a utilizat tehnologia pe 90 nm pentru a produce cipurile SRAM cu cea mai mare capacitate din lume, de 52 megabiti. In interiorul acestor cipuri complet functionale sunt impachetati 330 milioane de tranzistori pe o suprafata de doar 109 milimetri patrati - aproximativ dimensiunea unei unghii. Aceste cipuri dispun de asemenea de cea mai mica celula SRAM, cu o dimensiune de un micron patrat. Prin comparatie, o globula rosie din sange este de o suta de ori mai mare. Celulele mici permit integrarea unor memorii cache mai mari in procesor, ceea ce mareste performanta. Aceste echipamente semiconductoare au fost realizate in unitatea de productie pe 300 mm a Intel, denumita D1C, din Hillsboro, Oregon, unde a fost dezvoltata noua tehnologie. "Procesul pe 90 nm este extrem de util astazi iar noi la Intel producem aceste wafere si cipuri in unitatile noastre de dezvoltare," a spus Mark Bohr, director in cadrul Intel pentru arhitectura si integrarea proceselor. "Pana anul viitor vom fi prima companie care vom avea tehnologie pe 90 nm in productie de masa." Tehnologia pe 90 nm a Intel integreaza de asemenea sapte straturi de conexiuni de cupru de foarte mare viteza care maresc viteza procesorului. Tehnologia pe 90 nm va fi utilizata in productia pe scara larga in cadrul unitatii de productie D1C si transferata de anul viitor si in alte fabrici cu productie pe wafere de 300 mm. Intel se asteapta sa aiba pana in 2004 trei unitati cu wafere de 300 mm wafer utilizand tehnologia pe 90 nm. Unul dintre primele cipuri comerciale care vor fi realizate cu ajutorul noii tehnologii de fabricatie va fi si procesorul cu nume de cod Prescott, care se bazeaza pe micro-arhitectura Intel