INTEL prezinta detalii despre tehnologia pe 65 nanometri

Intel Corporation a atins un punct semnificativ in evolutia tehnologiei de fabricatie a cipurilor de generatie urmatoare. Compania a construit cipuri complet functionale la 70-megabit static random

Intel Corporation a atins un punct semnificativ in evolutia tehnologiei de fabricatie a cipurilor de generatie urmatoare. Compania a construit cipuri complet functionale la 70-megabit static random access memory (SRAM), cu peste jumatate de miliard de tranzistori, folosind cea mai avansata tehnologie de fabricatie, pe 65 nanometri (nm). Aceasta realizare extinde eforturile companiei de a impulsiona evolutia noii tehnologii de fabricatie o data la fiecare doi ani, in conformitate cu Legea lui Moore. Noua tehnologie de fabricatie creste numarul de tranzistori care incap pe un singur cip, oferind companiei Intel premisa pentru a livra pe piata viitoarele procesoare multi-core, si pentru a proiecta si alte caracteristici inovatoare pentru produsele viitoare, inclusiv capabilitati de virtualizare si securitate. Noua tehnologie de fabricatie pe 65nm de la Intel include si cateva caracteristici unice, care cresc nivelul de performanta si in acelasi timp scad consumul de energie. Micile celule SRAM permit integrarea unor cache-uri de dimensiuni mai mari in procesoare, ceea ce determina o crestere a nivelului de performanta. Fiecare celula de memorie SRAM are sase tranzistori care incap pe o suprafata de 0,57 ľm2. Circa 10 milioane de astfel de tranzistori ar putea incapea pe o suprafata de 1 milimetru patrat, echivalentul aproximativ al varfului unei mine de pix.